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ZVN2110GTA

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZVN2110GTA
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 10.772206 10.77
10 9.62396 96.24
100 7.503847 750.38
500 6.199109 3099.55

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 500 mA

漏源电阻 4 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 -

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

正向跨导(Min) 250 S

上升时间 4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 8 ns

典型接通延迟时间 4 ns

外形参数

高度 1.65 mm

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 FET

单位重量 112 mg

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ZVN2110GTA

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型号:ZVN2110GTA

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥10.772206
10+: ¥9.62396
100+: ¥7.503847
500+: ¥6.199109

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