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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 285 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 410 ns
上升时间 760 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 470 ns
典型接通延迟时间 105 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQA90N15_F109
单位重量 4.600 g
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0FQA90N15-F109
型号:FQA90N15-F109
品牌:ON
供货:锐单
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