货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥25.884032 | ¥6471.01 |
500 | ¥22.648528 | ¥11324.26 |
1000 | ¥18.82475 | ¥18824.75 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 88 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134.700 mg
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0CSD19502Q5BT
型号:CSD19502Q5BT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥25.884032 |
500+: | ¥22.648528 |
1000+: | ¥18.82475 |
货期:7-10天
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