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CSD19502Q5BT

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD19502Q5BT
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6
渠道:
digikey

库存 :7250

货期:(7~10天)

起订量:250

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
250 25.884032 6471.01
500 22.648528 11324.26
1000 18.82475 18824.75

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 80 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 4.1 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.2 V

栅极电荷 48 nC

耗散功率 195 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

正向跨导(Min) 88 S

上升时间 6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 22 ns

典型接通延迟时间 8 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 6 mm

宽度 5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 134.700 mg

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CSD19502Q5BT

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型号:CSD19502Q5BT

品牌:TI

供货:锐单

库存:7250 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

250+: ¥25.884032
500+: ¥22.648528
1000+: ¥18.82475

货期:7-10天

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