CSD18563Q5AT
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- 制造商编号：
- CSD18563Q5AT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
- 渠道：
- digikey
库存 ：19500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.189507 | ￥19.19 |
| 10 | ￥15.974642 | ￥159.75 |
| 100 | ￥12.712426 | ￥1271.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 116 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 6.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
规格参数
开发套件 TPS40170EVM-597
外形参数
高度 1 mm
长度 5.75 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 NexFET Power MOSFET
单位重量 86.200 mg
CSD18563Q5AT 同类别型号
注
CSD18563Q5AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18563Q5AT
数据手册PDF
。
CSD18563Q5AT
型号：CSD18563Q5AT
品牌：TI
供货：锐单
库存：19500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.189507 |
| 10+： | ￥15.974642 |
| 100+： | ￥12.712426 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.19