货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.220151 | ¥3660.45 |
6000 | ¥1.141435 | ¥6848.61 |
15000 | ¥1.062717 | ¥15940.75 |
30000 | ¥1.007608 | ¥30228.24 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 19.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0SI3421DV-T1-GE3
型号:SI3421DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.220151 |
6000+: | ¥1.141435 |
15000+: | ¥1.062717 |
30000+: | ¥1.007608 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00