货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥40.757796 | ¥40.76 |
10 | ¥36.610511 | ¥366.11 |
25 | ¥34.614094 | ¥865.35 |
100 | ¥27.690275 | ¥2769.03 |
250 | ¥26.152204 | ¥6538.05 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 11.8 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R099C7 SP001298004
单位重量 6 g
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0IPW60R099C7XKSA1
型号:IPW60R099C7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.757796 |
10+: | ¥36.610511 |
25+: | ¥34.614094 |
100+: | ¥27.690275 |
250+: | ¥26.152204 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥40.76