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DMP21D6UFB4-7B

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMP21D6UFB4-7B
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-
渠道:
digikey

库存 :10000

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

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1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 580 mA

漏源电阻 1 Ohms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 800 pC

耗散功率 980 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 19.2 ns

上升时间 4.3 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 20.2 ns

典型接通延迟时间 8.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1 mg

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型号:DMP21D6UFB4-7B

品牌:DIODES

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