
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.424925 | ¥8.42 |
| 10 | ¥7.080871 | ¥70.81 |
| 30 | ¥6.348744 | ¥190.46 |
| 100 | ¥5.518271 | ¥551.83 |
| 500 | ¥5.157671 | ¥2578.84 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 19.5 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7106DN-E3
单位重量 1 g
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0SI7106DN-T1-E3
型号:SI7106DN-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.424925 |
| 10+: | ¥7.080871 |
| 30+: | ¥6.348744 |
| 100+: | ¥5.518271 |
| 500+: | ¥5.157671 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.42