货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.224074 | ¥8.22 |
10 | ¥7.002925 | ¥70.03 |
100 | ¥4.868402 | ¥486.84 |
500 | ¥3.801516 | ¥1900.76 |
1000 | ¥3.09001 | ¥3090.01 |
2000 | ¥2.762293 | ¥5524.59 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 25.4 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.6 ns
上升时间 14.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.2 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM060N03PQ33
单位重量 304.151 mg
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0TSM060N03PQ33 RGG
型号:TSM060N03PQ33 RGG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.224074 |
10+: | ¥7.002925 |
100+: | ¥4.868402 |
500+: | ¥3.801516 |
1000+: | ¥3.09001 |
2000+: | ¥2.762293 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.22