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起订量:20
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
20 | ¥1.396224 | ¥27.92 |
100 | ¥1.174896 | ¥117.49 |
300 | ¥0.764496 | ¥229.35 |
800 | ¥0.630432 | ¥504.35 |
3000 | ¥0.452736 | ¥1358.21 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 550 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.9 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D1LFD-7
型号:DMN62D1LFD-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
20+: | ¥1.396224 |
100+: | ¥1.174896 |
300+: | ¥0.764496 |
800+: | ¥0.630432 |
3000+: | ¥0.452736 |
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