
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.368367 | ¥21.37 |
| 10 | ¥17.536308 | ¥175.36 |
| 100 | ¥13.638716 | ¥1363.87 |
| 500 | ¥11.560573 | ¥5780.29 |
| 1000 | ¥9.417467 | ¥9417.47 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 19.5 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7106DN-E3
单位重量 1 g
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0SI7106DN-T1-E3
型号:SI7106DN-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.368367 |
| 10+: | ¥17.536308 |
| 100+: | ¥13.638716 |
| 500+: | ¥11.560573 |
| 1000+: | ¥9.417467 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.37