
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.88714 | ¥2661.42 |
| 6000 | ¥0.842034 | ¥5052.20 |
| 9000 | ¥0.781893 | ¥7037.04 |
| 30000 | ¥0.763851 | ¥22915.53 |
| 75000 | ¥0.744393 | ¥55829.47 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 9 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0NVR4501NT1G
型号:NVR4501NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.88714 |
| 6000+: | ¥0.842034 |
| 9000+: | ¥0.781893 |
| 30000+: | ¥0.763851 |
| 75000+: | ¥0.744393 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00