
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.57134 | ¥1714.02 |
| 6000 | ¥0.558605 | ¥3351.63 |
| 9000 | ¥0.49475 | ¥4452.75 |
| 30000 | ¥0.488381 | ¥14651.43 |
| 75000 | ¥0.414974 | ¥31123.05 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 2.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.2 ns
典型接通延迟时间 0.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG2302UKQ-7
型号:DMG2302UKQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.57134 |
| 6000+: | ¥0.558605 |
| 9000+: | ¥0.49475 |
| 30000+: | ¥0.488381 |
| 75000+: | ¥0.414974 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00