APT11N80BC3G
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- 制造商编号：
- APT11N80BC3G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥59.785203 | ￥59.79 |
| 100 | ￥58.439328 | ￥5843.93 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT11N80BC3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
包装
Tube
系列
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零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
450mOhm @ 7.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.9V @ 680µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1585pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247 [B]
封装/外壳
TO-247-3
APT11N80BC3G 同类别型号
注
APT11N80BC3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、APT11N80BC3G
数据手册PDF
。
APT11N80BC3G
型号：APT11N80BC3G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥59.785203 |
| 100+： | ￥58.439328 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥59.79