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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 3.2 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLMS1902TRPBF SP001558856
单位重量 36 mg
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0IRLMS1902TRPBF
型号:IRLMS1902TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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