FDD18N20LZ
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDD18N20LZ
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V DPAK-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：9892
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.36125 | ￥31.36 |
| 10 | ￥21.386844 | ￥213.87 |
| 100 | ￥15.240038 | ￥1524.00 |
| 500 | ￥12.515739 | ￥6257.87 |
| 1000 | ￥11.627528 | ￥11627.53 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
FDD18N20LZ 同类别型号
注
FDD18N20LZ品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDD18N20LZ
数据手册PDF。
FDD18N20LZ
型号：FDD18N20LZ
品牌：ON
供货：锐单
库存：9892 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.36125 |
| 10+： | ￥21.386844 |
| 100+： | ￥15.240038 |
| 500+： | ￥12.515739 |
| 1000+： | ￥11.627528 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.36