货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥31.362202 | ¥31.36 |
10 | ¥21.387492 | ¥213.87 |
100 | ¥15.240501 | ¥1524.05 |
500 | ¥12.51612 | ¥6258.06 |
1000 | ¥11.627881 | ¥11627.88 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FDD18N20LZ
型号:FDD18N20LZ
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥31.362202 |
10+: | ¥21.387492 |
100+: | ¥15.240501 |
500+: | ¥12.51612 |
1000+: | ¥11.627881 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.36