
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.394841 | ¥1184.52 |
| 6000 | ¥0.377479 | ¥2264.87 |
| 9000 | ¥0.326467 | ¥2938.20 |
| 30000 | ¥0.320343 | ¥9610.29 |
| 75000 | ¥0.26529 | ¥19896.75 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RE1J002YN
单位重量 2.400 mg
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0RE1J002YNTCL
型号:RE1J002YNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.394841 |
| 6000+: | ¥0.377479 |
| 9000+: | ¥0.326467 |
| 30000+: | ¥0.320343 |
| 75000+: | ¥0.26529 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00