货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.678709 | ¥2036.13 |
6000 | ¥0.641011 | ¥3846.07 |
15000 | ¥0.584464 | ¥8766.96 |
30000 | ¥0.546766 | ¥16402.98 |
75000 | ¥0.490147 | ¥36761.03 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 240 V
漏极电流 110 mA
漏源电阻 7.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64.5 ns
正向跨导(Min) 0.06 S
上升时间 3.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.7 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS131 H6327 SP000702620
单位重量 8 mg
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0BSS131H6327XTSA1
型号:BSS131H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.678709 |
6000+: | ¥0.641011 |
15000+: | ¥0.584464 |
30000+: | ¥0.546766 |
75000+: | ¥0.490147 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00