
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.354348 | ¥5.35 |
| 10 | ¥3.717447 | ¥37.17 |
| 100 | ¥1.878612 | ¥187.86 |
| 500 | ¥1.532874 | ¥766.44 |
| 1000 | ¥1.137265 | ¥1137.26 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RE1J002YN
单位重量 2.400 mg
购物车
0RE1J002YNTCL
型号:RE1J002YNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.354348 |
| 10+: | ¥3.717447 |
| 100+: | ¥1.878612 |
| 500+: | ¥1.532874 |
| 1000+: | ¥1.137265 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.35