货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.409271 | ¥11.41 |
10 | ¥10.084324 | ¥100.84 |
100 | ¥7.731316 | ¥773.13 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 1.06 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.8 ns
正向跨导(Min) 3.2 S
上升时间 1.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD13381F4T
型号:CSD13381F4T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.409271 |
10+: | ¥10.084324 |
100+: | ¥7.731316 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.41