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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 96 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 75 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 135 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0SFT1342-W
型号:SFT1342-W
品牌:ON
供货:锐单
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