货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.358193 | ¥8.36 |
10 | ¥7.47402 | ¥74.74 |
100 | ¥5.824486 | ¥582.45 |
500 | ¥4.811832 | ¥2405.92 |
1000 | ¥3.798765 | ¥3798.76 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 480 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 47 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRF9520NPBF SP001554524
单位重量 2 g
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0IRF9520NPBF
型号:IRF9520NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.358193 |
10+: | ¥7.47402 |
100+: | ¥5.824486 |
500+: | ¥4.811832 |
1000+: | ¥3.798765 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.36