
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.920433 | ¥41.92 |
| 10 | ¥37.845323 | ¥378.45 |
| 100 | ¥31.330994 | ¥3133.10 |
| 500 | ¥29.336118 | ¥14668.06 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 84 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 128 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R095C7 SP001080128
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R095C7XKSA1
型号:IPW65R095C7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥41.920433 |
| 10+: | ¥37.845323 |
| 100+: | ¥31.330994 |
| 500+: | ¥29.336118 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.92