货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.278969 | ¥3836.91 |
6000 | ¥1.213943 | ¥7283.66 |
9000 | ¥1.127216 | ¥10144.94 |
30000 | ¥1.101206 | ¥33036.18 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 111 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SI7615CDN-T1-GE3
型号:SI7615CDN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.278969 |
6000+: | ¥1.213943 |
9000+: | ¥1.127216 |
30000+: | ¥1.101206 |
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