货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥49.012209 | ¥49.01 |
30 | ¥39.128224 | ¥1173.85 |
120 | ¥35.008463 | ¥4201.02 |
510 | ¥30.889927 | ¥15753.86 |
1020 | ¥27.800862 | ¥28356.88 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 82 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK31N60W5,S1VF
型号:TK31N60W5,S1VF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥49.012209 |
30+: | ¥39.128224 |
120+: | ¥35.008463 |
510+: | ¥30.889927 |
1020+: | ¥27.800862 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥49.01