货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.894985 | ¥8.89 |
10 | ¥7.931919 | ¥79.32 |
100 | ¥6.183018 | ¥618.30 |
500 | ¥5.10746 | ¥2553.73 |
1000 | ¥4.032238 | ¥4032.24 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 63 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 66 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFU5305PBF SP001550274
单位重量 340 mg
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0IRFU5305PBF
型号:IRFU5305PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.894985 |
10+: | ¥7.931919 |
100+: | ¥6.183018 |
500+: | ¥5.10746 |
1000+: | ¥4.032238 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.89