货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.573646 | ¥4.57 |
10 | ¥3.4735 | ¥34.73 |
100 | ¥2.165684 | ¥216.57 |
500 | ¥1.481616 | ¥740.81 |
1000 | ¥1.139704 | ¥1139.70 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37.6 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 59.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN2004K-7
型号:DMN2004K-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.573646 |
10+: | ¥3.4735 |
100+: | ¥2.165684 |
500+: | ¥1.481616 |
1000+: | ¥1.139704 |
货期:7-10天
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