货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.769638 | ¥19.77 |
10 | ¥17.74325 | ¥177.43 |
25 | ¥16.744883 | ¥418.62 |
100 | ¥13.059082 | ¥1305.91 |
250 | ¥12.724234 | ¥3181.06 |
500 | ¥11.049992 | ¥5525.00 |
1000 | ¥9.375751 | ¥9375.75 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 94 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 160 ns
典型接通延迟时间 31 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
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0RS1E281BNTB1
型号:RS1E281BNTB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.769638 |
10+: | ¥17.74325 |
25+: | ¥16.744883 |
100+: | ¥13.059082 |
250+: | ¥12.724234 |
500+: | ¥11.049992 |
1000+: | ¥9.375751 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.77