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RS1E281BNTB1

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RS1E281BNTB1
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
RS1E281BN IS LOW ON-RESISTANCE A
渠道:
digikey

库存 :2500

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.769638 19.77
10 17.74325 177.43
25 16.744883 418.62
100 13.059082 1305.91
250 12.724234 3181.06
500 11.049992 5525.00
1000 9.375751 9375.75

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 80 A

漏源电阻 2.3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 94 nC

耗散功率 30 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 28 ns

上升时间 100 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 160 ns

典型接通延迟时间 31 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 771.020 mg

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RS1E281BNTB1

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型号:RS1E281BNTB1

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:2500 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.769638
10+: ¥17.74325
25+: ¥16.744883
100+: ¥13.059082
250+: ¥12.724234
500+: ¥11.049992
1000+: ¥9.375751

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