货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.169958 | ¥10.17 |
10 | ¥9.095178 | ¥90.95 |
100 | ¥7.088923 | ¥708.89 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 199 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 1.04 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 3.4 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD23382F4T
型号:CSD23382F4T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.169958 |
10+: | ¥9.095178 |
100+: | ¥7.088923 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.17