搜索

CSD23382F4T

TI(德州仪器)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
CSD23382F4T
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
渠道:
digikey

库存 :4308

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 10.169958 10.17
10 9.095178 90.95
100 7.088923 708.89

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 199 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1.1 V

栅极电荷 1.04 nC

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 41 ns

正向跨导(Min) 3.4 S

上升时间 25 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 66 ns

典型接通延迟时间 28 ns

外形参数

高度 0.35 mm

长度 1 mm

宽度 0.64 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 0.400 mg

CSD23382F4T 相关产品

CSD23382F4T品牌厂家:TI ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购CSD23382F4T、查询CSD23382F4T代理商; CSD23382F4T价格批发咨询客服;这里拥有 CSD23382F4T中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到CSD23382F4T 替代型号 、CSD23382F4T 数据手册PDF

购物车

CSD23382F4T

锐单logo

型号:CSD23382F4T

品牌:TI

供货:锐单

库存:4308 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥10.169958
10+: ¥9.095178
100+: ¥7.088923

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥10.17