货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥17.293211 | ¥13834.57 |
1600 | ¥14.584594 | ¥23335.35 |
2400 | ¥13.855342 | ¥33252.82 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 130 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 125 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SUM110N10-09-E3
型号:SUM110N10-09-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥17.293211 |
1600+: | ¥14.584594 |
2400+: | ¥13.855342 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00