CSD19537Q3
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- 制造商编号：
- CSD19537Q3
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.866984 | ￥17.87 |
| 10 | ￥15.970895 | ￥159.71 |
| 100 | ￥12.453409 | ￥1245.34 |
| 500 | ￥10.287979 | ￥5143.99 |
| 1000 | ￥8.122184 | ￥8122.18 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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注
CSD19537Q3品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD19537Q3
数据手册PDF
。
CSD19537Q3
型号：CSD19537Q3
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.866984 |
| 10+： | ￥15.970895 |
| 100+： | ￥12.453409 |
| 500+： | ￥10.287979 |
| 1000+： | ￥8.122184 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.87