DMN30H4D0LFDE-7
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- 制造商编号：
- DMN30H4D0LFDE-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.943491 | ￥7.94 |
| 10 | ￥6.856486 | ￥68.56 |
| 100 | ￥5.120067 | ￥512.01 |
| 500 | ￥4.023308 | ￥2011.65 |
| 1000 | ￥3.108971 | ￥3108.97 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 550 mA
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 1.98 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17.5 ns
上升时间 4.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.8 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN30H4D0LFDE-7 同类别型号
注
DMN30H4D0LFDE-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN30H4D0LFDE-7、查询DMN30H4D0LFDE-7代理商；
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替代型号
、DMN30H4D0LFDE-7
数据手册PDF
。
DMN30H4D0LFDE-7
型号：DMN30H4D0LFDE-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.943491 |
| 10+： | ￥6.856486 |
| 100+： | ￥5.120067 |
| 500+： | ￥4.023308 |
| 1000+： | ￥3.108971 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.94