货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.928014 | ¥6.93 |
10 | ¥5.97997 | ¥59.80 |
100 | ¥4.46553 | ¥446.55 |
500 | ¥3.508979 | ¥1754.49 |
1000 | ¥2.711528 | ¥2711.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 550 mA
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 1.98 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17.5 ns
上升时间 4.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.8 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN30H4D0LFDE-7
型号:DMN30H4D0LFDE-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.928014 |
10+: | ¥5.97997 |
100+: | ¥4.46553 |
500+: | ¥3.508979 |
1000+: | ¥2.711528 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.93