SQS407ENW-T1_GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQS407ENW-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.373715 | ￥12.37 |
| 10 | ￥11.076278 | ￥110.76 |
| 100 | ￥8.636374 | ￥863.64 |
| 500 | ￥7.134948 | ￥3567.47 |
| 1000 | ￥5.632805 | ￥5632.81 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 10.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导（Min） 34 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 11.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SQS407ENW-T1_GE3 同类别型号
注
SQS407ENW-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SQS407ENW-T1_GE3、查询SQS407ENW-T1_GE3代理商；
SQS407ENW-T1_GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SQS407ENW-T1_GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SQS407ENW-T1_GE3
替代型号
、SQS407ENW-T1_GE3
数据手册PDF。
SQS407ENW-T1_GE3
型号：SQS407ENW-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.373715 |
| 10+： | ￥11.076278 |
| 100+： | ￥8.636374 |
| 500+： | ￥7.134948 |
| 1000+： | ￥5.632805 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.37