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SI1062X-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI1062X-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V SC-89
渠道:
digikey

库存 :114835

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.358109 5.36
10 3.788059 37.88
100 1.912721 191.27
500 1.560582 780.29
1000 1.15785 1157.85

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 530 mA

漏源电阻 420 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 2.7 nC

耗散功率 220 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

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SI1062X-T1-GE3

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型号:SI1062X-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:114835 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.358109
10+: ¥3.788059
100+: ¥1.912721
500+: ¥1.560582
1000+: ¥1.15785

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