货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.336621 | ¥23.34 |
10 | ¥20.990928 | ¥209.91 |
100 | ¥16.868527 | ¥1686.85 |
500 | ¥13.859066 | ¥6929.53 |
1000 | ¥11.483182 | ¥11483.18 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 2.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 39.8 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 14.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70.5 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
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0RS1E301GNTB1
型号:RS1E301GNTB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.336621 |
10+: | ¥20.990928 |
100+: | ¥16.868527 |
500+: | ¥13.859066 |
1000+: | ¥11.483182 |
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单价:¥0.00总价:¥23.34