SI2338DS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2338DS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.865801 | ￥6.87 |
| 10 | ￥5.871444 | ￥58.71 |
| 100 | ￥4.38346 | ￥438.35 |
| 500 | ￥3.444266 | ￥1722.13 |
| 1000 | ￥2.661328 | ￥2661.33 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2338DS-T1-BE3 SI2338DS-GE3
单位重量 8 mg
SI2338DS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2338DS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2338DS-T1-GE3、查询SI2338DS-T1-GE3代理商；
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替代型号
、SI2338DS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2338DS-T1-GE3
型号：SI2338DS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.865801 |
| 10+： | ￥5.871444 |
| 100+： | ￥4.38346 |
| 500+： | ￥3.444266 |
| 1000+： | ￥2.661328 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.87