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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.5 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM5H90ATU,LF
型号:SSM5H90ATU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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