STW30N80K5
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- 制造商编号：
- STW30N80K5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：1168
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥78.831431 | ￥78.83 |
| 10 | ￥70.812372 | ￥708.12 |
| 25 | ￥66.944936 | ￥1673.62 |
| 100 | ￥53.55595 | ￥5355.60 |
| 250 | ￥50.580618 | ￥12645.15 |
| 500 | ￥47.605288 | ￥23802.64 |
| 1000 | ￥40.762028 | ￥40762.03 |
| 2500 | ￥40.166962 | ￥100417.40 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STW30N80K5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
包装
Tube
系列
MDmesh™ K5
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
180mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1530pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
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注
STW30N80K5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STW30N80K5
数据手册PDF。
STW30N80K5
型号：STW30N80K5
品牌：ST
供货：锐单
库存：1168 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥78.831431 |
| 10+： | ￥70.812372 |
| 25+： | ￥66.944936 |
| 100+： | ￥53.55595 |
| 250+： | ￥50.580618 |
| 500+： | ￥47.605288 |
| 1000+： | ￥40.762028 |
| 2500+： | ￥40.166962 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥78.83