货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥0.138927 | ¥0.14 |
30 | ¥0.133965 | ¥4.02 |
100 | ¥0.129004 | ¥12.90 |
500 | ¥0.119082 | ¥59.54 |
1000 | ¥0.11412 | ¥114.12 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN601K-7
型号:DMN601K-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥0.138927 |
30+: | ¥0.133965 |
100+: | ¥0.129004 |
500+: | ¥0.119082 |
1000+: | ¥0.11412 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.14