
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.379164 | ¥6.38 |
| 10 | ¥4.79116 | ¥47.91 |
| 100 | ¥2.711823 | ¥271.18 |
| 500 | ¥1.795667 | ¥897.83 |
| 1000 | ¥1.376678 | ¥1376.68 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN601K-7
型号:DMN601K-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.379164 |
| 10+: | ¥4.79116 |
| 100+: | ¥2.711823 |
| 500+: | ¥1.795667 |
| 1000+: | ¥1.376678 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.38