货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.563667 | ¥5.56 |
10 | ¥4.178669 | ¥41.79 |
100 | ¥2.365151 | ¥236.52 |
500 | ¥1.566113 | ¥783.06 |
1000 | ¥1.200688 | ¥1200.69 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN601K-7
型号:DMN601K-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.563667 |
10+: | ¥4.178669 |
100+: | ¥2.365151 |
500+: | ¥1.566113 |
1000+: | ¥1.200688 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.56