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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥51.718868 | ¥51.72 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 290 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 430 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 700 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 260 ns
典型接通延迟时间 85 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQA170N06_NL
单位重量 4.600 g
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0FQA170N06
型号:FQA170N06
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥51.718868 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥51.72