SI2365EDS-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2365EDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
- 渠道：
- digikey
库存 ：7373
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.589591 | ￥4.59 |
| 10 | ￥3.105623 | ￥31.06 |
| 100 | ￥2.083674 | ￥208.37 |
| 500 | ￥1.60697 | ￥803.49 |
| 1000 | ￥1.447558 | ￥1447.56 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 26.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.8 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2365EDS-T1-BE3 SI4816DY-T1-E3-S
单位重量 8 mg
SI2365EDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2365EDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2365EDS-T1-GE3、查询SI2365EDS-T1-GE3代理商；
SI2365EDS-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI2365EDS-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI2365EDS-T1-GE3
替代型号
、SI2365EDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2365EDS-T1-GE3
型号：SI2365EDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7373 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.589591 |
| 10+： | ￥3.105623 |
| 100+： | ￥2.083674 |
| 500+： | ￥1.60697 |
| 1000+： | ￥1.447558 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.59