货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.961423 | ¥16.96 |
10 | ¥15.14602 | ¥151.46 |
100 | ¥11.808067 | ¥1180.81 |
500 | ¥9.754939 | ¥4877.47 |
1000 | ¥7.701281 | ¥7701.28 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 6.8 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.7 ns
正向跨导(Min) 106 S
上升时间 10.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 110.300 mg
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0CSD16322Q5
型号:CSD16322Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.961423 |
10+: | ¥15.14602 |
100+: | ¥11.808067 |
500+: | ¥9.754939 |
1000+: | ¥7.701281 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.96