货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.825589 | ¥4.83 |
10 | ¥3.402659 | ¥34.03 |
100 | ¥1.713703 | ¥171.37 |
500 | ¥1.519195 | ¥759.60 |
1000 | ¥1.18227 | ¥1182.27 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 26.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.8 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2365EDS-T1-BE3 SI4816DY-T1-E3-S
单位重量 8 mg
购物车
0SI2365EDS-T1-GE3
型号:SI2365EDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.825589 |
10+: | ¥3.402659 |
100+: | ¥1.713703 |
500+: | ¥1.519195 |
1000+: | ¥1.18227 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.83