货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥89.086908 | ¥89.09 |
10 | ¥80.51183 | ¥805.12 |
100 | ¥66.652081 | ¥6665.21 |
500 | ¥58.03969 | ¥29019.85 |
1000 | ¥56.16738 | ¥56167.38 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 131 nC
耗散功率 329 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 66 ns
上升时间 71 ns
典型关闭延迟时间 127 ns
典型接通延迟时间 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0SIHG40N60E-GE3
型号:SIHG40N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥89.086908 |
10+: | ¥80.51183 |
100+: | ¥66.652081 |
500+: | ¥58.03969 |
1000+: | ¥56.16738 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥89.09