货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.504372 | ¥1513.12 |
6000 | ¥0.476348 | ¥2858.09 |
15000 | ¥0.434312 | ¥6514.68 |
30000 | ¥0.406289 | ¥12188.67 |
75000 | ¥0.364253 | ¥27318.97 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 82 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0NVS4001NT1G
型号:NVS4001NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.504372 |
6000+: | ¥0.476348 |
15000+: | ¥0.434312 |
30000+: | ¥0.406289 |
75000+: | ¥0.364253 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00