货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.202076 | ¥15.20 |
10 | ¥12.485641 | ¥124.86 |
100 | ¥9.713131 | ¥971.31 |
500 | ¥8.232797 | ¥4116.40 |
1000 | ¥6.70636 | ¥6706.36 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 68.8 A
漏源电阻 8.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 53.7 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMT10H010LK3-13
型号:DMT10H010LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.202076 |
10+: | ¥12.485641 |
100+: | ¥9.713131 |
500+: | ¥8.232797 |
1000+: | ¥6.70636 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.20