IPD80R1K4CEATMA1
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- 制造商编号：
- IPD80R1K4CEATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.877938 | ￥21.88 |
| 10 | ￥19.5686 | ￥195.69 |
| 100 | ￥15.259862 | ￥1525.99 |
| 500 | ￥12.606312 | ￥6303.16 |
| 1000 | ￥9.952274 | ￥9952.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R1K4CE SP001130972
单位重量 330 mg
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注
IPD80R1K4CEATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD80R1K4CEATMA1
数据手册PDF
。
IPD80R1K4CEATMA1
型号：IPD80R1K4CEATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.877938 |
| 10+： | ￥19.5686 |
| 100+： | ￥15.259862 |
| 500+： | ￥12.606312 |
| 1000+： | ￥9.952274 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.88