货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.879059 | ¥9.88 |
10 | ¥9.619841 | ¥96.20 |
30 | ¥9.44703 | ¥283.41 |
100 | ¥9.288619 | ¥928.86 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 105 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 24 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SISA04DN-GE3
单位重量 1 g
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0SISA04DN-T1-GE3
型号:SISA04DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.879059 |
10+: | ¥9.619841 |
30+: | ¥9.44703 |
100+: | ¥9.288619 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.88